WebApr 11, 2024 · 在 sic 方面,公司已经建成月产能 1000 片的 6 英寸 sic 晶圆生产线,已完成 sic sbd 产品工艺平台开发并开始转入小批量试产,正在开发 sic mosfet 工艺平台。且 12 英寸 线进展顺利,布局较为完整。 8 英寸晶圆产能提升接近尾声,6 英寸晶圆产能利用率饱满 … Web在模块进行封装时,选取的 sic mosfet 和sbd 芯片的静态参数接近一致,参考项目组之前的设计,均采用浮空场限环结构作为器件终端保护结构,终端保护结构减小至 80 根,并保持浮空场限环终端总宽度为 600μm,mosfet 芯片有源区面积约为 37.4mm2。
高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性问题研究 - CNKI
WebSiC晶圆争夺战开打. 来源:内容来自半导体行业观察(ID:icbank)原创,作者:杜芹,谢谢!. 近日,英飞凌与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。. 英飞凌此举无疑是看到了SiC广阔的市场规模,据Yole预测,SiC市场规 … Web日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)4月6日宣布,作为NEDO推动的“战略节能技术创新计划”的一部分,Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基势垒二极管的商业化开发。. 宣布已成功确认氧化镓 (β-Ga2O3) 肖特基势垒二极管 (SBD)的运行。. 氧化镓有望成为 … how to save a table in access
4H-SiC肖特基二极管及结终端技术研究--《河北工业大学》2015年 …
WebApr 9, 2024 · 扬杰科技 300373:公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(idm)的杰出厂商。 产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,为客户提供一揽子产品 … Web为了比较各种终端结构提高4h-sicsbd击穿的电压效率,本文最后设计了4h-sic sbd的工艺实验方案,分析了该类器件制造中的材料和关键工艺,结合国内现有的碳化硅的工艺水平,设计了具有不同终端结构的器件的版图图形和主要的工艺流程并进行了初步流片。 WebFeatures. Power loss is reduced by approx. 21% compared to silicon (Si) products, contributing to energy conversion. The SiC-SBD allows high frequency switching and contributes to downsizing the reactor, heat sink and other peripheral components. JBS structure allows high forward surge capability and contributes to improving reliability. how to save a system restore point windows 10